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碳納米晶體管性能首次超越硅晶體管

作者：中國科學(xué)院成都有機化學(xué)有限公司來源：http://www.sikpqwc.cn 日期：2016-11-15 14:32:11

近日，美國威斯康星大學(xué)的研究人員成功開發(fā)出了碳納米晶體管，其性能大大超越現(xiàn)有的硅晶體管，它能通過的電量比晶體管多了1.9倍。研究人員表示，碳納米晶體管性能超越硅晶體管，這還是第一次。
據(jù)悉，碳納米管內(nèi)存已經(jīng)走出實驗室，開始投入生產(chǎn)，這是一個振奮人心的消息，如果美國威斯康星大學(xué)的研究能夠推廣，NRAM內(nèi)存就可以與碳納米管CPU搭配使用。
要校準(zhǔn)碳納米管在圓晶上的位置、保證其純度是一大挑戰(zhàn)，威斯康星大學(xué)在這方面取得了重大進展。研究人員表示，消除金屬雜質(zhì)是一大關(guān)鍵，因為它會破壞碳納米管的半導(dǎo)體性能。
從理論上講，未來碳納米晶體管的性能可以比硅晶體管高5倍，換言之，如果用在設(shè)備中，它的能耗要比硅晶體管低5倍。一旦該技術(shù)真正投入使用，就可以開發(fā)出更強大的處理器、讓無線通信速度更快、提高便攜設(shè)備的續(xù)航能力。
碳納米管的市場前景廣闊，然而它已經(jīng)在實驗室沉寂了幾十年，因為碳納米管的應(yīng)用面臨著技術(shù)和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn)。令人欣喜的是針對碳納米管的研究仍然在繼續(xù)，而且不斷取得了突破。

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