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碳納米管/Cu2Se雜化熱電材料研究取得進(jìn)展

作者:中國科學(xué)院成都有機(jī)化學(xué)有限公司 來源:http://www.sikpqwc.cn 日期:2017-10-11 10:17:43


     熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)利用半導(dǎo)體材料的塞貝克(Seebeck)效應(yīng)和帕爾貼(Peltier)效應(yīng),實現(xiàn)熱能與電能直接相互轉(zhuǎn)化,具有系統(tǒng)體積小、可靠性高、不排放污染物質(zhì)、有效利用低密度熱量等特點,在很多領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用。近年來,以skutterudite、half-Heusler、類液態(tài)材料等為代表的單相熱電材料的研究取得了進(jìn)展。但受制于自身的晶體結(jié)構(gòu)和電子能帶結(jié)構(gòu),單相熱電材料的性能幾乎均已接近甚至達(dá)到其理論極大值。
 
  雜化材料(Hybrid material)是由二種不同物相在分子或納米尺度均勻混合所構(gòu)成的復(fù)合材料。雜化材料的一種物相為無機(jī)材料,另一種物相為有機(jī)材料。傳統(tǒng)復(fù)合材料兩相的尺寸在微米至毫米甚至更大尺度之間,物理性能往往顯示簡單的兩相“復(fù)合法則”。由于雜化材料的兩種物相在分子或納米尺度之間均勻混合,顯示出不同于兩相基體的新物理特性。目前,雜化材料在涂層、生物醫(yī)學(xué)、建筑、能源等領(lǐng)域研究深入,在熱電材料研究領(lǐng)域也有所嘗試。然而,如何實現(xiàn)第二相的均勻分散,獲得分子/納米尺度的兩相界面,以及其帶來的新效應(yīng)成為雜化熱電材料研究的難點和重點。
 
  近日,研發(fā)人員利用金屬Cu原子與多壁碳納米管之間的化學(xué)作用和高能球磨技術(shù),制備了碳納米管沿硒化亞銅(Cu2Se)化合物晶界單根均勻分散的雜化熱電材料,將熱電優(yōu)值大幅度提高至2.4。該無機(jī)-有機(jī)雜化熱電材料完全不同于在毫米至微米尺度混合的傳統(tǒng)復(fù)合熱電材料,展現(xiàn)出了一系列有別于Cu2Se和碳納米管的新的物理性質(zhì),豐富和拓寬了熱電材料的設(shè)計理念。
 
  碳納米管表面由于自由電子的存在而具有很高的化學(xué)活性。第一性原理計算發(fā)現(xiàn),當(dāng)金屬Cu原子與碳納米管表面接近時,會產(chǎn)生很強(qiáng)的化學(xué)作用。當(dāng)Cu原子距離碳納米管表面六元環(huán)中心位置1.83埃時,所形成的化學(xué)鍵的鍵能為0.24eV。這使得在利用高能球磨技術(shù)將碳納米管、單質(zhì)Cu粉和單質(zhì)Se粉混合時,一部分Cu原子可以化學(xué)吸附于碳納米管表面,進(jìn)而與Se原子反應(yīng),在碳納米管表面原位生成Cu2Se納米晶,最終獲得碳納米管在Cu2Se基體中單根均勻分散的Cu2Se/碳納米管無機(jī)-有機(jī)雜化材料。
 
  由碳納米管和Cu2Se兩種物相所構(gòu)成的新型雜化熱電材料在很多物理性能上,超越了傳統(tǒng)復(fù)合材料中簡單的兩相“復(fù)合法則”。例如,碳納米管沿軸向的晶格熱導(dǎo)率(約2000W/mK)比Cu2Se高約4個數(shù)量級,但Cu2Se/碳納米管雜化材料的晶格熱導(dǎo)率卻遠(yuǎn)低于兩相基體,僅為0.2-0.4W/mK。進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn),碳納米管/Cu2Se形成的分子/納米尺度上的兩相界面對低頻聲子的散射,以及碳納米管對Cu2Se晶格的“軟化”是造成如此低晶格熱導(dǎo)率的根本原因。此外,由于碳納米管和Cu2Se具有相近的功函數(shù),使兩相界面處的電荷耗盡層寬度并不足以導(dǎo)致對載流子的額外散射,因此Cu2Se/碳納米管雜化材料的載流子遷移率并沒有像傳統(tǒng)復(fù)合材料一樣出現(xiàn)明顯降低。綜合這些反常的電-熱輸運性質(zhì),Cu2Se/碳納米管雜化熱電材料表現(xiàn)優(yōu)異的熱電性能。在1000K時,其最高熱電優(yōu)值zT為2.4,較Cu2Se基體提高了約30%。
 
  除Cu原子之外,計算表明其它多種金屬原子(如Ag, Ti, Ni, Pd, Pt等)也與碳納米管、石墨烯等碳基材料存在類似的化學(xué)作用。因此,該研究可拓展至其它包含上述金屬元素的熱電材料體系以開發(fā)新型的高性能無機(jī)-有機(jī)雜化熱電材料。

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