碳化硅晶體生長
作者:中國科學(xué)院成都有機化學(xué)有限公司 來源:http://www.sikpqwc.cn 日期:2017-04-19 14:33:09
了解
碳化硅的朋友一定都知道,使用商業(yè)碳化硅爐有時可以生長出大的半導(dǎo)體碳化硅晶體。然后最近以實驗室規(guī)模成功地合成了這種晶體材料。生長在石墨坩堝內(nèi)部的空心圓柱體中的碳化硅晶片是在碳管爐內(nèi)加熱到2500℃以上制成的,溫度的安排是要使得碳化硅圓柱體的中心溫度較外部為低。向里面擴散的碳化硅蒸汽因而變得過飽和,并且在圓柱體的中心冷凝下來形成單晶體。可以在工作氣筑中引入某種雜質(zhì)以改變生長的晶體的成分。
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